收藏本站
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

2004 Jan 26 6
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage diode BAS416
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC JEDEC JEITA
SOD323 SC-76
SOD323
03-12-17
06-03-16
Note
1. The marking bar indicates the cathode
UNIT
A
mm 0.051.10.8
0.40
0.25
0.25
0.10
1.8
1.6
1.35
1.15
2.7
2.3
0.45
0.15
A
max1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic surface-mounted package; 2 leads
012 mm
(1)
2
1
scale
bp
c
D
E
HD
Q
0.25
0.15
Lp
v
0.2
A
D
A
E
Lp
bp
detail X
A1
c
Q
HD
vAM
X
*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
BAS45AL,115 DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C
BAS521,115 DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523
BAS521-7 DIODE 300V 250MA SOD523
BAS521LP-7 DIODE 325V 400MA DFN1006-2
BAS70-7-F DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
BAS70LT1 DIODE SCHOTTKY 70V SOT23
BAS70SL DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD-923
BAS70T-7-F DIODE SCHOTTKY 150MW 70V SOT-523
相关代理商/技术参数
BAS416_13 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Low-leakage diode
BAS416115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 85V SOD-323
BAS416F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:10,000
BAS416Z 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:3,000
BAS45A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE LOW LEAKAGE DO-34 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, LOW LEAKAGE, DO-34
BAS45A T/R 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE LOW LEAKAGE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS45A,113 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE LOW LEAKAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS45A,133 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 125V 0.25A 2-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube